（原标题：这项新发现，有望竣事有储手艺飞跃）

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科学家们可能无意地克服了奏凯接收下一代数据存储手艺的要紧遮拦。

推断东说念主员示意，他们欺骗一种名为硒化铟 (In2Se3) 的特有材料，发现了一种缩小相变存储器(PCM)能量需求的手艺，相变存储器是一种无需恒定电源即可存储数据的手艺，其能量需求最高可缩小 10 亿倍。

推断东说念主员在 11 月 6 日发表在《当然》杂志上的一项推断中示意，这一冲破朝着克服 PCM 数据存储范畴的最大挑战之一迈出了一步，可能为低功耗存储成就和电子产物铺平说念路。

PCM 是通用内存的首选——探究内存，既不错替代立时存取存储器 (RAM) 等短期内存，也不错替代固态硬盘 (SSD) 或硬盘等存储成就。RAM 速率很快，但需要多数物理空间和恒定电源智商脱手，而 SSD 或硬盘的密度要大得多，不错在探究机关闭时存储数据。通用内存引诱了两者的优点。

它的责任旨趣是让材料在两种情状之间切换：晶体（原子整皆胪列）和非晶体（原子立时胪列）。这些情状与二进制 1 和 0 相关，通过情状切换对数据进行编码。

但是，用于切换这些情状的“熔融淬火手艺”——波及加热和快速冷却 PCM 材料——需要多数动力，这使得该手艺资本昂贵且难以限制化。在他们的推断中，推断东说念主员找到了一种十足绕过熔融淬火历程的要道，即通过电荷指示非晶化。这大大缩小了 PCM 的动力需求，并可能为更平时的生意应用洞开大门。

宾夕法尼亚大学工程学院材料科学与工程教学、这项推断的作家Ritesh Agarwal在一份声明中示意：“相变存储成就尚未取得平时应用的原因之一是所需的能量。”他说，这些发现关于谋划低功耗存储成就的后劲是“繁多的”。

推断东说念主员的发现取决于硒化铟的特有性质，这是一种兼具“铁电”和“压电”特质的半导体材料。铁电材料不错自愿极化，这意味着它们不错在不需要外部电荷的情况下产生里面电场。比拟之下，压电材料在战役电荷时会发生物理变形。

在测试这种材料时，推断东说念主员发现，当材料闪现在集结电流下时，其部分会非晶化。更要紧的是，这是十足有时发生的。

“我那时简直观得我可能损坏了电线，”这项推断的共同作家、宾夕法尼亚大学工程学院材料科学与工程专科的前博士生Gaurav Modi在声明中说说念。“频频情况下，你需要电脉冲来激勉任何类型的非晶化，而这里集结的电流壅塞了晶体结构，这是不应该发生的。”

进一步分析发现，半导体的特质会激勉四百四病。最初，电流会引起材料发生微弱变形，从而激勉“声学飘浮”——一种肖似于地震期间的声波。然后，这种声波穿过材料，将非晶化扩散到微米级区域，推断东说念主员将其比作雪崩蓄积动量的机制。

推断东说念主员讲明称，硒化铟的多种特质（包括其二维结构、铁电性和压电性）共同作用，使冲击激勉的非晶化历程大概以超粗劣量竣事。他们在推断中写说念，这可能为往时围绕“低功耗电子和光子应用的新材料和成就”的推断奠定基础。

阿加瓦尔在声明中示意：“这为推断当扫数这些特质引诱在沿途时材料中可能发生的结构改动设备了一个新范畴。”

https://www.livescience.com/technology/computing/accidental-discovery-creates-candidate-for-universal-memory-a-weird-semiconductor-that-consumes-a-billion-times-less-power

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